... ... ... диодтары
1.1 SiC негізінде жасалған жарық диодтарының жасалу тарихы
... ... ...
Электр
... ... ... әсерінен қатты денеден фотондардың шығуы электролюминесценция құбылысы деп аталады,
... ... ... XX ғасырдың басында ашылды. Электролюминесценция бөлме температурасы кезінде де
... ... ... алады, оның жылулық сәуле шығарудан айырмашылығы – әдетте 750
... ... ... дейінгі жоғарғы температураға дейін қыздырылған материалдармен шығарылатын оптикалық спектрдің
... ... ... диапазонымен электромагниттік сәуле шығаруы болып табылады.
1891 жылы Юджин Ачесон
... ... ... деп аталатын кремний карбиді SiC атты жаңа материалды өндірістік
... ... ... үрдісін дайындады. Бұл материалды талдау электрлік қыздыруы бар
... ... ... жоғары температурада жүргізіледі, онда шыны – кремний екі оксиді
... ... ... мен көмір – көміртегі C арасындағы химиялық
... ... ... нәтижесінде карборунд құрылған.
"Si" "O" _"2" ("г" )"+С" ("тв"
... ... ... ("г" )"+СО" ("г" ),(1)
екінші өрнек,
"SiO" ("г" )"+2С" ("тв" )"→SiO"
... ... ... )"+СО" ("г" ).
... ... ... ... ... ... ... ... ... (2)
AIIIBV типті жартылай
... ... ... сияқты, карборунд табиғатта кездеспейтін жасанды жолмен алынған материал болып
... ... ... SiC материалы да алмаз сияқты кристаллдық тордан тұрады,
... ... ... бұл материал жоғары беріктілігімен сипатталады. Беріктіктің минералдық шкаласы бойынша
... ... ... беріктігі 9,0 тең, ал таза SiC-тың беріктігі 9,2-9,5, алмаздікі
... ... ... 10,0. Жоғары беріктігі мен карборундтың синтезінің төмен құнына байланысты
... ... ... материалдарды өндіруде кеңінен пайдаланыла бастады.
1907 жылы Генри Джозеф Раунд
... ... ... ж.ж.) SiC кристаллдарын түзетуші қатты денелі детекторлар ретінде
... ... ... мүмкіндігін тексерді. Кейіннен ол детекторлар «кристаллдық детекторлар» деп аталды.
... ... ... бірінші радиоқабылдағыштарда радиожиілікті сигналдардың демодуляторы ретінде пайдаланды. Кристаллдық детекторлардың
... ... ... алғаш рет 1906 жылы көрсетілді. Сол жылдары кристалл –
... ... ... металл контакт типті құрылымдар 1904 жылы алғаш пайда болған
... ... ... электр энергиясын пайдаланатын қымбат вакуумдық диодтардың орнына қолдану үшін
... ... ... зерттелген.
Карборунд кристаллдарымен жұмыс кезінде Раунд олардың сәуле шығаратынын байқаған.
... ... ... кезден бастап жарық диодтарының тарихы басталады. Бірақ сол кезде
... ... ... қасиеттерін анықтаудың нақты әдісі болмады, ол жарық шығару
... ... ... физикасын түсіндіруге мүмкіндік бермеді. Сонда да Раунд өзінің байқаулары
... ... ... «Электрлік әлем» (Electric World) журналының редакторына айтты. Бұл мақала
... ... ... көрсетілген. Карборунд және басқа да материалдар арқылы ток
... ... ... зерттеу кезінде қызық құбылыс байқалды. Карборунд кристаллының екі нүктесі
... ... ... 10 вольт кернеу берген кезде ол сары түспен жана
... ... ... Осындай төмен кернеу кезінде жарық шығаратын тағы екі материал
... ... ... Бірақ кернеу 110 вольт болған кезде материалдардың көпшілігі жарық
... ... ... бастайды, олардың бір бөлігінің жан жағы ғана жанады, және
... ... ... түспен жанбайды. Кейбір заттар жасыл, қызғылт-сары немесе көк болып
... ... ... шығарады. Барлық жағдайда сәуле шығару теріс полюс жағынан
... ... ... ал оң полюс жағынан кейде жасыл-көк жарқылдар көрінген. Егер
... ... ... теріс контактіні ортасына орналастырып оң контактінің орнын ауыстырса, оң
... ... ... орналасқан кристаллдың бір бөлігі ғана жанады.
Жоғарыда сипатталған құбылыс пен
... ... ... арқылы тұрақты немесе айнымалы ток өткен кезде карборунд пен
... ... ... жартылай өткізгіш арасында ЭҚК-тің пайда болу құбылысы бір-бірімен байланысты,
... ... ... бұл байланыс екіншілік болып табылады, себебі ЭҚК-нің пайда болуы
... ... ... үрдістермен сипатталады. Бұл мақаланың авторы осыған арналған немесе осы
... ... ... ұқсас басқа да мақалаларға сілтемеге алғыс айтады.
Раунд радиоинженер және
... ... ... өнертапқыш болған, ол мансабының соңына дейін 117 иеқұжаты болған.
... ... ... шығаратын алғашқы құрылғылар түзеткіш вольтамперлік сипаттамаларға ие болған, яғни
... ... ... болып табылған. Олардың жарық шығару себебі – SiC кристаллы
... ... ... электродтың байланысу орнында Шоттки түзеткіш байланысының пайда болуы. Шоттки
... ... ... әрекеті негізгі заряд тасымалдаушылардың тогымен қамтамасыз етіледі (электрондар). Бірақ
... ... ... қатты ығысуы кезінде немесе оның кері ығысуы кезінде лавиналық
... ... ... болады, және онда негізгі емес тасымалдаушылар (кемтіктер) құрылады.
Жартылай өткізгіштің
... ... ... n-типті болып табылады. Өткелдің қатты ығысуы кезінде жартылай өткізгішке
... ... ... потенциалдық бөгеуіл арқылы туннельдік әсерден негізгі емес тасымалдаушылар инжекцияланады.
... ... ... тасымалдаушылардың (кемтіктер) электрондармен рекомбинация нәтижесінде жартылай өткізгіште фотондар шығады.
... ... ... диодында негізгі емес тасымалдаушылардың инжекциясы үшін олардың жарық диодтарының
... ... ... өткеліндегі әдеттегі шамасынан артық кернеу қажет. Раунд өзінің баяндамасында
... ... ... 1907) Шоттки диодының жұмыс кернеулері 10-110 В диапазонында жатады.
Шоттки
... ... ... жарық шығару –жартылай өткізгіш атомдарын энергиясы жоғары заряд тасымалдаушыларымен
... ... ... иондау арқылы лавиналық тесілу нәтижесінде кері ығысу кезінде болады.
... ... ... Иондау үрдісі кезінде валентті аймақта саны көп кемтіктер, ал
... ... ... аймағында – саны көп электрондар құрылады, олар бір-бірін рекомбинациялау
... ... ... фотон шығарады. Истмэн және тағы басқалардың жұмысында кері ығысу
... ... ... Шоттки диодындағы жарық шығару құбылысы туралы көп деректер көрсетілген.
1928
... ... ... Лосев радиосұлбалардың демодулятор ретінде қолданылатын түзеткіш SiC-диодтарының металл-жартылай
... ... ... өткелінде байқалатын люминесценция құбылысын зерттеу нәтижелерін жариялады. Ол бір
... ... ... жарықтың шығуы олардың кері ығысуы кезінде ғана, ал кейбір
... ... ... тікелей және кері ығысу кезінде де болатынын байқады. Лосев
... ... ... пайда болу себебін табуға тырысты, ол үшін Лосев үлгінің
... ... ... шығаратын бетіне бензол тамызып, оның булану жылдамдығын өлшеді. Бұдан
... ... ... баяу булануына байланысты, жарықтың шығуы оның бетінің қатты қызуымен
... ... ... ескерген. Лосевтің пайымдауы бойынша люминесценция құбылысы «суық электрондардың шығарылу
... ... ... қатты ұқсас». SiC-диодтарында жарықтың пайда болуы мен жоғалуы жылдам
... ... ... сондықтан SiC-диодтары негізінде жарық релелерін дайындау мүмкіндігі пайда болды.
... ... ... диодтарының 1960 жылдарға дейінгі дамуы Лебнер жұмысында сипатталған.
60 жылдардың
... ... ... SiC қабықшасын алу технологиясы және олардың негізінде p-n-өткелі бар
... ... ... өткізгіш құрылғылар дайындалған. Кремний карбидінен дайындалған диодтар көк
... ... ... шығаратын заманауи жарық диодтарының бастаушылары болып табылады, олардың электр
... ... ... оптикалық жарық шығаруға түрлендіру тиімділігі 0,005% құрайды. Келесі
... ... ... көк сәуле шығаратын жарық диодтарының сипаттамасын жақсарту іске аспады.
... ... ... SiC түзу емес аймақты жартылай өткізгіш болып табылады, олардың
... ... ... аралық оптикалық өткелдерінің ықтималдылығы төмен. 90 жылдардың басында көк
... ... ... шығаратын SiC жарық диодтарын шығару толығымен тоқтатылды, себебі SiC
... ... ... қарай AIIIBV типті жартылай өткізгіштермен бәсекеге түсе алмады. Жақсы
... ... ... жарық диодтары толқын ұзындығы 470 нм болатын жарық шығарды
... ... ... олардың ПӘК-і 0,03% болды[1-2].
1.2 GaAs және AlGaAs
... ... ... қызыл және инфрақызыл сәуле шығаратын жарық диодтарының құрылу тарихы
1950
... ... ... дейін AIIIBV типті жартылай өткізгіш материалдар, сонымен қатар SiC,
... ... ... зерттелген болатын, себебі бұл материалдар табиғатта көп кездеседі. Бірінші
... ... ... диодтар SiC материалынан 1907 жылы жасалған, ал 1936 жылы
... ... ... ғалымы Ж.Дестриомен ZnC кристаллдары негізінде жарық диодтарын құру туралы
... ... ... пайда болды.
AIIIBV типті жартылай өткізгішті қосылыстар дәуірі 50 жылдары
... ... ... жұмысы жарияланған соң басталды. Бұл типті жартылай өткізгіш материалдар
... ... ... құрылғандықтан, бұл уақытқа дейін олар болмаған. Бұл топтағы заманауи
... ... ... өткізгіштердің оптикалық сипаттамалары жақсы, және олардың негізінде жарық диодтарын
... ... ... үшін заманауи технологияның көп түрі қолданылады.
1954 жылы қорытпалардан GaAs
... ... ... алу басталғанда, AIIIBV типті жартылай өткізгіш қосылыстарды зерттеу басталды.
... ... ... кесіп, алынған пластиналарды тегістеп, олардың үстінде сұйық фазалық
... ... ... (СФЭ) және газ фазалық эпитаксия (ГФЭ) әдістерімен p-n-өткелі
... ... ... жартылай өткізгіш құрылым құру үшін астарлар ретінде пайдаланған. 1962
... ... ... GaAs-тан жасалған инфрақызыл жарық диодтары мен лазерлерін құру туралы
... ... ... бірнеше мақала пайда болды.
60 жылдардың басында IBM «Томас Дж.
... ... ... (Нью-Йорк қаласынан солтүстікке қарай бір сағаттық жердегі Йорктаун Хейтста
... ... ... зерттеу орталығынан белгілі ғалымдар Джерри Вудалл, Ганс Руппрехт, Манфред
... ... ... Маршалл Натан және т.б. кірген ғылыми ұжым GaAs және
... ... ... AlGaAs материалдарынан жарық диодтарын құру бойынша және оның сипаттамаларын
... ... ... бойынша үлкен зерттеу жұмысын жүргізді.
Өзінің кітабында 2000
... ... ... Вудалл ол негізінен GaAs көлемдік кристаллдарын өсіру мәселесімен айналысқанын
... ... ... ол кристаллдар германий құрылғыларының эпитаксиальды құрылымдары үшін жартылай жекелендіруші
... ... ... құру үшін және цинкті диффузиялау әдісімен инжекциялау лазерлерін
... ... ... үшін n-типті астарлар құру үшін қолданылады. Ол уақытқа
... ... ... IBM, GE фирмалары мен Линкольн МТИ зертханалары өздерінің инжекциялық
... ... ... жұмысын көрсетті. Руппрехт диффузия әдісімен қоспаларды енгізу теориясын дайындады
... ... ... GaAs-тан лазерлерді қолданып тәжірибелер жасады. Сонымен қатар ол бірінші
... ... ... лазерлерді ойлап табушылардың бірімен Маршалл Натанмен басқарылған физиктер тобына
... ... ... жылдары Вудалл Бриджменнің әдісімен GaAs монокристаллдарын горизонталь өсіру үшін
... ... ... бастаған әдістемені дайындады, ал Руппрехт лазерлер үшін көптеген материалдар
... ... ... олардың сипаттамасын анықтады. Мұндай тығыз әріптестік өзінің жемісін әкелді,
... ... ... 77 К кезінде үздіксіз режимде жұмыс істейтін GaAs лазері
... ... ... RCA Принстон фирмасының зертханасында Г.Нельсонмен ұсынылған СФЭ әдісін пайдаланған
... ... ... 300 К кезінде жұмыс істейтін GaAs-тан жасалған лазер дайындалды,
... ... ... диффузиялау әдісімен алынған лазермен салыстырғанда оның тогының шектік тығыздығы
... ... ... Басқа ғалымдардың зерттеулері туралы мақалаларды ескере отырып, Вудалл кремнийдің
... ... ... легирлеуші қоспаларын пайдаланып GaAs-та p-n-өткелін өсірумен айналысты, онда Ga
... ... ... Si атомдары донорлар қызметін атқарды, ал As түйіндерінде –
... ... ... қызметін атқарды. Ол тиімді идея болды, себебі бұған дейін
... ... ... әдісін бір типті өткізгіштігі бар эпитаксиальды қабаттарды өсіру
... ... ... қолданды.
Мұндай p-n-өткелін СФЭ әдісімен алу шарттары жылдам табылды:
... ... ... үшін Ga-As-Si қорытпасы 900 0С-тан 850 0С-қа дейін суытқан.
... ... ... кезде 900 0С кезінде өсірілген эпитаксиальды қабат (төменгі) n-типті
... ... ... болған, онда кремний донор қызметін атқарады, ал 850 0С
... ... ... – р-типті қабат болған, мұнда кремний акццептор қызметін атқарды,
... ... ... алынған өткелдің көлденең қимасын зерттеу арқылы дәлелденді. Мұндай өсіру
... ... ... кристаллдың ешқандай сапасы жоғалмаған. p-n-өткелінің компенсациялық облысының қатты легирленуімен
... ... ... күйінің тығыздығының тыйым салынған аймаққа әсерінен GaAs(Si)-тан жасалған жарық
... ... ... толқын ұзындығы үлкен (900-980 нм) аймақта жарық шығара бастады,
... ... ... фотондарының энергиясы жұтылу жолағының шетіне қарағанда азырақ. Сондықтан GaAs
... ... ... астарлары және эпитаксиальды қабаттар жарықтың көп бөлігін жұтпайтын болды
... ... ... мөлдір терезе рөлін атқаратын болды. GaAs(Si)-тан жасалған жарық диодтары
... ... ... кванттық шығыс шамасы жағынан алдыда, ол 6% құрайды.
... ... ... жылы Руппрехт былай жазды: «Бізбен дайындалған тиімділігі жоғары GaAs(Si)-тан
... ... ... жарық диодтары ғылыми-техникалық бірлестіктің жарқын жетістігі болып табылады». GaAs(Si)-тан
... ... ... жарық диодтарының квантты шығысы цинкты диффузиялау әдісімен құрылған GaAs-тан
... ... ... жарық диодтарынан бес есе артық. Si акцепторларының деңгейі Zn
... ... ... деңгейінен тереңірек, сондықтан кремниймен легирленген компенсацияланған белсенді қабаттардың GaAs
... ... ... болатын толқын ұзындығы ұзын болатын аймақтарында жарық шығарылады.
Жоғарыда айтылған
... ... ... ұжымдарының жұмыстары оптикалық спектрдің көрінетін диапазонының жарық диодтарын құруға
... ... ... Ол үшін GaAsP және AlGaAs кристаллдары таңдалған. Руппрехт
... ... ... әдіспен GaAsP эпитаксиальды қабаттарын алмақ болғанда, Вудалл AlGaAs-ты
... ... ... үшін эпитаксиальды қондырғыны пайдаланған. Екі зерттеуші де күрделі мәселеге
... ... ... болды. GaP және GaAs кристаллдық торларының параметрлері сәйкес
... ... ... ол 3,6% құрады, СФЭ әдісімен GaAsP сапалы қабаттарын құру
... ... ... соқты. Ал AlGaAs-пен басқа мәселе туындады. Ол жылдары AlGaAs
... ... ... нашар материал болып есептелді, себебі ол жылдам қышқылданған, Вудалл
... ... ... бойынша «алюминий оттегіні жақсы көреді». Оттегі атомдары люминесценцияны
... ... ... орталықтары ретінде жұмыс істеген. Ол әсіресе ГФЭ әдіспен өсірілген
... ... ... СФЭ технологиясы бойынша алынған құрылымдарда байқалған, онда оттегінің әсері
... ... ... болатын.
Руппрехт пен Вудалл зерттеудің бір бөлігін IBM әкімшілігінің қолдауынсыз
... ... ... орындаған болатын. Олар жұмыстан кейін және демалыс күндері СФЭ
... ... ... бойынша AlGaAs эпитаксиальды қабаттарын өсіруді жалғастырған. Вудалл графит пен
... ... ... оксидіден жасалған балқыту отбақыры қолданылған вертикаль енгізілетін аппаратты жобалап
... ... ... Аспирант бола тұрып Вудалл металлургия мамандығын меңгерген және фазалық
... ... ... туралы білімі жоғары болатын, сондықтан қорытпалардағы алюминий концентрациясын таңдау
... ... ... жүргізген. Бірінші тәжірибелерінде қорытпаға кремний қосқан, оны қанығу деңгейіне
... ... ... қосып, оның ішіне 925 0С-тан 850 0С-қа дейін суыту
... ... ... GaAs астарларын қосқан. Бұдан кейін эпитаксиальды қабаттары бар астарлары
... ... ... температурасы 300 К-ге дейін жеткен. Мұндай әдіс кезінде кремниймен
... ... ... p-n-өткелін алу мүмкін емес, бірақ астарларында оптикалық спектрдің көрінетін
... ... ... қызыл облысында тыйым салынған облысы бар қалыңдығы 100 мкм
... ... ... сапасы жоғары AlGaAs қабаты байқалған.
Сол кезде GaP мөлдір
... ... ... үстінде AlGaAs эпитаксиальды қабаттарын өсіруді үйренді, ол оптикалық спектрдің
... ... ... диапазонының жарық диодтарын құруға мүмкіндік берді. Ары қарай СФЭ
... ... ... әдісінің көмегімен мұндай құрылымдарда алюминийі көп AlGaAs қосымша қабаттарын
... ... ... болды. Нәтижесінде алюминий концентрациясы жоғары қабаттар белсенді бірақ алюминийі
... ... ... AlGaAs қабатынан жарықты өткізетін мөлдір терезе рөлін атқаратын жарық
... ... ... жасалды.
IBM ғалымдарының тобына кірген Пилкун да Руппрехтпен бірге GaAsP
... ... ... диодтары мен лазерлерін құру жұмыстарымен айналысты, және қызыл түсті
... ... ... шығаратын жарық диодтарын пайдаланып батарейкадан қоректенетін аса ірі емес
... ... ... сұлбаны жинады, және оны IBM басқармасы мен өзінің әріптестеріне
... ... ... Кейбіреулері оның жұмысын әдемі бірақ пайдасыз зат ретінде, ал
... ... ... оны керемет және тиімді зат ретінде бағалады. Уақыт көрсеткендей,
... ... ... ойлары расталды. Бірінші GaAsP жарық диодтары күйлері мен функцияларын
... ... ... жөндеу платаларында индикатор ретінде қолданылған. Олар 360 сериялы IBM
... ... ... классикалық әмбебап ЭЕМ-ның процессорларында қолданылған, ол 1-суретте көрсетілген.
Сурет
... ... ... Арифметикалық құрылғының күйін көрсету индикаторы ретінде жоғары кернеулі газоразрядты
... ... ... пайдаланатын 360 сериялы IBM фирмасының классикалық әмбебап ЭЕМ (1964
... ... ... жасалған бірінші жарық диодтарының сериялы шығарылуы 1960 жылдардың басында
... ... ... Instruments Corp фирмасымен жүргізілген. Бұл жарық шығарудың толқын ұзындығы
... ... ... нм болатын оптикалық спектрдің инфрақызыл диапазонының диодтары болатын. Бірінші
... ... ... диодтарының технологиялық параметрлері төмен болған, ал бағасы - өте
... ... ... бір диод үшін 130 АҚШ долларына дейін төменген.
Резонаторлары бар
... ... ... жарық диодтары AlGaAs/GaAs материалдарының жүйесінде дайындалған. Олар жарық диодтарының
... ... ... класстарының өкілдері болды, ол жарық диодтарының жұмыс принципі микроскопиялық
... ... ... лезде жарық шығаруды күшейтуге негізделген. Максимал жарық шығару резонатордағы
... ... ... негізгі модына сәйкес келетін толқын ұзындығында болады. Жарық шығаруды
... ... ... жарық ұзындығы резонатордың ішімен бірнеше рет өткен кездегі сол
... ... ... ұзындығының энергиясының тығыздығының өзгеруімен байланысты. Резонаторлары бар жарық диодтарының
... ... ... осьі бойынша жарық шығару қарқындылығы жоғары, ол оптикалық жарық
... ... ... байланысты жақсартады.
Қазіргі кезде инфрақызыл диапазонды AlGaAs/GaAs материалдарынан жасалған жарық
... ... ... аудиожәне видеотехниканы қашықтықтан басқаруда кеңінен қолданылады, сонымен қатар жергілікті
... ... ... желілерінде, ал қызыл болып жанатын AlGaAs/AlGaAs-тан жасалған жарық диодтары
... ... ... диапазонға жатады және олардың жарықтығы жоғары. Сонымен қатар олардың
... ... ... шығаруының квантты шығысы қызыл болып жанатын AlGaР/GaAs-дан жасалған жарық
... ... ... квантты шығысымен бірдей, бірақ AlInGaP/GaAs-тікіне қарағанда төмен[3-5].
1.3 AlInGaP
... ... ... спектрінің көрінетін диапазондағы жарық диодтарын құру тарихы
AlInGaP материалдар
... ... ... қызыл (626 нм), қызыл-сары (610 нм) және сары (590
... ... ... спектральды диапазондағы жарық жануын алу үшін қолданылады және қазіргі
... ... ... толқын ұзындығының берілген интервалында жарық шығаратын жарықтығы жоғары жарық
... ... ... дайындау үшін негіз болып табылады.
AlInGaP негізіндегі материалдар оптикалық спектрдің
... ... ... диапазонында жұмыс істейтін лазерлер үшін Жапонияда дайындалған. Барлығы белсенді
... ... ... ретінде In0.5Ga0.5P пайдаланатын екі еселенген гетероқұрылымы бар AlInGaP/ InGaP
... ... ... дайындаудан басталды, оның торының параметрі GaAs параметрімен сәйкес
... ... ... InGaP тыйым салынған аймағының ені 1,9 эВ (650 нм)
... ... ... ол материал көрінетін спектрдің қызыл облысында жарық шығаратын лазерлерді
... ... ... үшін қолданыла алады. Ондай лазерлерді мысалға лазерлік сілтеу
... ... ... және DVD-күйтабақ ойнатқышында қолданады.
InGaP белсенді облысына алюминийді қосу жарық
... ... ... қызыл-сары және сары спектральды диапазондарды қамтып, қысқа толқындар жағына
... ... ... ығыстыруға мүмкіндік береді. Бірақ (AlzGa1-x)0.5In0.5P материалы x=0,53 кезінде тікелей
... ... ... емес жартылай өткізгіш болады, ол λ≤600 нм кезінде оның
... ... ... төмендеуіне әкеледі. Яғни, бұл материал толқын ұзындығы 570
... ... ... шамасынан кем болатын жарықты шығаратын тиімді жарық диодтарын дайындау
... ... ... келмейді.
Бірінші AlInGaP лазерлері 1980 жылдардың басында пайда болды,
... ... ... AlInGaP жарық диодтарының дамуы 1980 жылдардың соңында басталды. AlInGaP
... ... ... айырмашылығы жарық диодтарының құрылымына әдетте токты тарату қабаттары кіреді,
... ... ... p-n-өткелінің жазықтығы ғана жану үшін және омдық байланыстың жоғарғы
... ... ... төмен орналасқан облыс жанбауы үшін енгізіледі.
AlInGaP жарық диодтарының ары
... ... ... жаңартылуы бірнеше кванттық шұңқырдан, Брэггтың таратылған шашыратқышынан
... ... ... белсенді облысты құрумен және мөлдір GaP астарларын дайындау технологиясының
... ... ... болуымен байланысты. Авторларға арналған кітаптардан AlInGaP жүйелері мен олардың
... ... ... жарық диодтарының салыстырмалы талдауы көрсетілген [6-7].
1.4 Жарық диодтарының
... ... ... жаңа облыстары
Жарық диодтарының жарық шығаруының қарқындылығының өсуіне байланысты
... ... ... пайдаланылу ортасы да кеңейді. 2-суретте хирург мамандармен операция кезінде
... ... ... орнатылған жарық диодтары бар медициналық көзілдіріктері көрсетілген. Жарық диодтары
... ... ... дайындалған жарық көздерінің массасы аз және хирургиялық операциялар кезінде
... ... ... түстің берілуінің сапасына қойылатын қатал талаптарына жауап береді.
... ... ...
